内置 MOSFET 单节锂电池保护芯片2.8V过放检测电压 XR308B

XR308B 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池 保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 的工作。 XR308B 采用 SOT23-5 封装，外围只需要一 个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全可靠。

XR308B 监控电池的电压和电流，并通 过 断开充电器或者负载，保护单节可充电锂 电池 不会因为过充电压、过放电压、过放电 流以 及短路等情况而损坏。这些功能都使可 充电 电池工作在指定的范围内。该芯片仅需 一颗 外接电容和一个外接电阻，MOSFET已内 置， 等效电阻的典型值为 16.5 mΩ。 XR308B 支持四种运行模式：正常工作 模 式、充电工作模式、放电工作模式和休眠 工 作模式。

1. 正常工作模式 如果没有检测到任何异常 情况，充电和放电 过程都将自由转换。这种 情况称为正常工作 模式。

2. 过充电压情况 在正常条件下的充电过程 中，当电池电压高 于过充检测电压(Vocv)， 并持续时间达到过 充电压检测延迟时间 (Tocv)或更长， XR308B将控制MOSFET以停止 充电。这种情 况称为过充电压情况。如果异 常情况在过充 电压检测延迟时间(Tocv)内消 失，系统将不 动作。 以下两种情况下，过充电压情况将被释放： (1). 充电器连接情况下，VM 端的电压低于 充 电器检测电压Vcha，电池电压掉至过充释 放 电压(VOCR)。 (2). 充电器未连接情况下，电池电压掉至 过 充检测电压(Vocv)。当充电器未被连接时， 电池电压仍然高于过充检测电压，电池将通 过内部二极管放电。

3. 过充电流情况 在充电工作模式下， 如果电流的值超过 ICHA 并持续一段时间 (TOCI1) 或更长，芯 片 将控制MOSFET 以停止充电。这种情况被 称为 过充电流情况。XR308B将持续监控电 流状 态，当连接负载或者充电器断开，芯片 将释 放过充电流情况。

4. 过放电压情况在正常条件下的放电过程中，当电池电压掉 至过放检测电压(VODV)，并持续时间达到过 放电压检测延迟时间(TODV) 或更长， XR308B将切断电池和负载的连接，以停止 放电。这种情况被称为过放电压情况。此时 放电控制MOSFET被断开，内部上拉电流管打 开。当VDD电压小于等于2.0V (典型值) ， 电流消耗将降低至休眠状态下的电流消耗 (IPDN)。这种情况被称为休眠情况。当VDD 电压等于2.3V (典型值) 或更高时，休眠条 件将被释放。电池电压大于等于过放检测释 放电压(VODR) 时，XR308B 将回到正常工 作条件。

5. 过放电流情况 (过放电流1和过放电流2 的检测)如果放电电流超过额定值，且持续 时间大于等于过放电流检测延迟时间，电池 和负载将被断开。如果在过放电流检测延迟 时间内，电流又降至额定值范围之内，系统 将不动作。芯片内部下拉电流下拉VM，当VM 的电压小于或等于过放电流1的参考电压， 过放电流状态将被复位。

6. 负载短路电流情况 若VM管脚的电压小 于等于短路保护电压 (VSHORT)，系统将停 止放电电池和负载的连 接将断开。TSHORT 是切断电流的最大延迟时 间。当VM的电压 小于或等于过放电流1的参 考电压，负载 短路状态将被复位。

7. 充电器检测 当处于过放电状态下的电池 和充电器相连， 若VM 管脚电压小于等于充 电器检测电压 VCHA，当电池电压大于等于 过放检测电压 VODV，XR308B将释放过放电 状态。

8. 0V充电 可以0V充电，电池电压低于 2.3V，充电芯片 进入休眠状态，充电时MOS 断开，通过体二 极管充电。电池电压低于 2.3V，充电电流不 能大于500mA，以免电池 和保护芯片损坏。