常见电路设计——（1）超级电容充电电路
目录
整体电路架构
一、恒流主回路器件（CC 阶段核心）
1. R500、R501（恒流采样电阻）
2. T501（主功率调整管）
3. T500（电流检测 / 负反馈管）
4. R502（基极限流电阻）
二、恒压控制环路器件（CV 阶段核心）
1. U500（TL431，精密基准源）
2. T502（电压环误差放大管）
3. R503、R504（偏置 / 限流电阻）
4. R507、R508（恒压分压采样电阻）
三、充电使能开关器件
1. T505（使能开关管）
2. R517、R518（基极分压电阻）
四、输出隔离与储能器件
1. D500（双肖特基隔离二极管）
2. C500（超级电容 / 法拉电容）
3. R505、R506、R509（配置跳线电阻）
关键参数总结
这是一个典型的双环路线性 CC-CV（恒流 - 恒压）超级电容充电电路，四大功能模块协同工作，逻辑关系如下：
┌─────────────┐ ┌─────────────┐ ┌─────────────┐ ┌─────────────┐ │ 3.8V输入 │───▶│ 恒流主回路 │───▶│ 输出隔离储能 │───▶ 超级电容C500 │ │ │ (T500/T501 │ │ (D500肖特基)│ │ │ │ R500/R501)│ └─────────────┘ │ │ └───────▲─────┘ │ │ │ │ │ ┌───────┴─────┐ │ │ │ 恒压控制环路 │ │ │ │ (TL431+T502 │ │ │ │ 分压电阻) │ └─────────────┘ └───────▲─────┘ │ ┌──────┴─────┐ │ 充电使能开关│ │ (T505+分压)│ └────────────┘ ▲ │ VCC_IN整体电路架构
本电路是双环路线性恒流 - 恒压（CC-CV）超级电容充电电路，输入 3.8V，标称恒流 80mA，恒压截止 2.5V，带使能控制与反向防倒灌。电路分为四大功能模块：
- 恒流主回路：实现恒定电流充电，由采样电阻、功率管、电流检测管组成；
- 恒压控制环路：实现满电后电压钳位，由 TL431 精密基准、误差放大管、分压电阻组成；
- 充电使能开关：控制电路启停，由 NPN 开关管与分压电阻组成；
- 输出隔离与储能：反向防倒灌、储能与电路配置，由肖特基二极管、超级电容、跳线电阻组成。 两个环路为 “或逻辑”：电容电压较低时电流环主导，恒流充电；电压达到阈值时电压环接管，转入恒压浮充。
一、恒流主回路器件（CC 阶段核心）
恒流原理：利用硅三极管发射结导通电压（V_EB≈0.62~0.68V）的阈值特性，通过采样电阻将充电电流转化为电压，负反馈调节功率管基极电流，最终维持输出电流恒定。
3.8V输入 │ ├─ R500(10Ω) ──┐ │ ├─ T501发射极 → T501集电极 → D500 → C500超级电容 └─ R501(33Ω) ──┘1. R500、R501（恒流采样电阻）
- 参数：0402 封装，R500=10Ω/±5%，R501=33Ω/±5%，二者并联，等效采样电阻
- 连接：左端共同接 3.8V 输入电源，右端分别接 T500 发射极、T501 发射极。
- 工作原理：
充电主电流绝大部分流过 R501 与 T500，小部分参考电流流过 R501 与 T500。电阻两端的压降，直接作为 T500 发射结的驱动电压。
当充电电流增大， 随之升高，T500 发射结偏置加深，导通程度增强，分流 T501 的基极电流，拉低 T501 基极电位，迫使 T501 导通减弱，限制电流继续增大；反之电流减小时，T500 导通减弱，T501 基极电位回升，电流上升，最终通过负反馈维持充电电流基本恒定。
- 恒流值定量计算： 硅 PNP 管发射结导通阈值典型值取 0.65V：
- （18F 从 0 充到 2.5V 理论耗时
）。
2. T501（主功率调整管）
- 参数：LMBT3906LT1G，PNP 型小功率三极管，SOT-23 封装，电流放大倍数 β≈100~300，集电极最大连续电流 200mA。
- 连接：发射极 E 接 R501