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GD25WD80ETIGR,宽压低功耗工业级存储闪存

型号介绍
GD25WD80ETIGR是一款 8Mbit(1MB)工业级双线输出 SPI NOR Flash, 这款芯片拥有适配低功耗设备的宽电压工作区间,供电范围覆盖 1.65V 至 3.6V,既能匹配 1.8V 低压蓝牙、传感器主控,也兼容 3.3V 传统工业 MCU,无需额外电平转换电路。功耗表现十分突出,待机与深度掉电模式下电流典型值仅 0.1μA,长时间休眠几乎不消耗电量,完美适配依靠电池供电的便携设备。电气可靠性设计完善,内置欠压保护机制,当供电电压低于 1~1.55V 阈值时自动锁死所有写入操作,避免电压不稳造成的数据损坏;同时严格区分极限电气参数,VCC 耐压上限 4.2V,IO 口输入输出电压留有充足余量,可承受短时 ±2V 信号过冲,工业复杂电磁环境下运行更稳定。上电流程也做了标准化约束,电压达到最低工作电压后需等待 0.9ms 才可读写,电压跌落至 0.5V 并维持 300μs 以上才会完成完整初始化,保障每次开机存储数据读取正常。

主要特性
容量与封装:兆易 8Mbit(1MB)SPI Flash,SOP8 封装,工业级 - 40~85℃,无铅无卤卷带包装
接口速度:标准 SPI + 双线 Dual 输出,最高 104MHz 时钟,双线读速率 208Mbps
供电功耗:宽压 1.65~3.6V;待机 / 深度掉电仅 0.1μA,低功耗适配电池设备
存储架构:256 字节页、4KB 统一扇区,擦写寿命 10 万次,数据保存 20 年
多重保护:软件分区锁、WP# 硬件写保护、欠压防误写、深度掉电屏蔽写操作
安全功能:单芯片 128bit 唯一 ID、512 字节独立安全寄存器,支持 OTP 永久加密锁定

应用领域
网络通信小型设备
工业自动化
便携式电子设备

相关型号
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GD32F350RBT6
GD32F303VET6

http://www.cnnetsun.cn/news/3016984.html

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