测试ASDM60R042NQ-R高速半桥电路
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AD\Test\2025\December\TestHalfBridgeASDM60R042NQ.SchDoc
ASDM60R组成的高速半桥
01高速半桥测试
一、背景测试
昨天测试了表贴功率MOS管 ASDM40R 搭建的高速半桥电路。 现在手边还有ASDM60R芯片， 体积比 ASDM40R大一些， 对应的耐压从原来的 40V 提高到了 60V。 下面重新制作一个测试电路板， 测试一下使用 ASDM60R 组成的高速半桥的工作情况。
二、测试电路
设计测试电路板。 将之前的小封装的 MOS 管 更换为 ASDM60R。 其它 的元器件都保留着。 在焊接的时候， 仍然将两个MOS管的栅极串联电阻焊接为 0欧姆电阻。 铺设单面PCB， 适合一分钟制板制作测试电路板。
一分钟之后得到测试电路板。 焊接清洗之后进行测试。 给电路板提供 24V 半桥电压以及 8V 的驱动芯片电压。 使用 DG1062 提供 100kHz， 脉宽为 100ns 的输入脉冲信号。 观察两个半桥的栅极电压信号。
三、测试结果
观察输入信号与下桥臂栅极电压。 黄色信号为输入信号， 青色信号为栅极信号。 可以看到栅极信号稳定， 没有发生震荡。 观察上半桥栅极电压。 上管栅极电压在上升沿过冲严重， 但是这个上升沿也不太像是驱动线路电感造成的震荡信号。 具体为什么会出现这么高的上升沿， 还无法得到解释。
下面， 更换MOS 管的栅极串联电阻。 从原来的 0欧姆提高到 10欧姆。 可以看到， 上桥臂脉冲变形更加严重， 这应该是对应MOS管输入栅极电容比较大引起的。
※总结 ※
本文测试了 ASDM60R042 MOS 管所搭建的高速半桥。 可以在0 欧姆栅极情况下可靠的工作。 相比于 昨天测试的 ASDM40R 芯片， 这个芯片在上桥臂驱动信号表现为更大的失真和变形。
■ 相关文献链接:
- 重新测试小型封装的MOS管高频半桥：ASDM40N40E-CSDN博客
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