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Linux EEPROM调试

news 2026/6/27 18:23:22

前言

EEPROM（Electrically Eraseble Programmable rend only memory，电可擦可编程只读存储器）是一种非易失性存储芯片。

它们具有以下核心功能与特点：

1. 数据持久性。

断电后数据不丢失，适用于需要长期保存配置信息的场景；
通过电子擦除和编程实现数据更新，无需物理移除芯片。

2. 可重复擦写。

支持数万次擦写操作，适用于频繁修改数据的应用（如硬件配置存储等）；
擦除时仅需特定电压，无需紫外线照射（区别于EPROM）。

3. 应用场景。

硬件配置存储：用于接口卡、即插即用设备的参数保存；
安全防护：作为”硬件锁“防止软件非法拷贝；
物联网设备：作为通信模块的配置信息或设置。

4. 技术特性。

支持按字节读写，灵活性较高；
现代EEPROM通常无需额外高压（Vpp），简化设计。

5. 与其它存储介质的区别。

相比NOR/NAND FLASH，EEPROM更适合小容量、频繁更新的场景；与RAM相比，具有非易失性优势，但速度较慢。

下面以AT24Cxx系列的EEPROM为例。

DTS配置的参考

AT24C256 EEPROM的DTS配置参考

AT24C256是一款广泛使用的串行EEPROM芯片，具有256K位存储容量，它使用I2C协议进行通信，适用于多种控制器系统。这种非易失性存储器在断电后依然能够保持数据不丢失，常被用于存储配置信息、日志数据或代码引导程序等。

i2c0_gpio: i2c@0 { compatible = "i2c-gpio"; #address-cells = <1>; #size-cells = <0>; scl-gpios = <&gpioc 22 GPIO_ACTIVE_HIGH>; sda-gpios = <&gpioc 23 GPIO_ACTIVE_HIGH>; i2c-gpio,delay-us = <2>; /* ~100 kHz */ at24c256@50 { compatible = "atmel,24c256"; reg = <0x50>; pagesize = <64>; }; };

AT24C02 EEPROM的DTS配置参考

AT24C02是一款2K位的串行EEPROM芯片，内部含有256个8位字节，有一个16字节的页写缓冲器，主要用于存储设备配置信息、系统参数等需长期保存且断电不丢失的数据场景。

i2c0_gpio: i2c@0 { compatible = "i2c-gpio"; #address-cells = <1>; #size-cells = <0>; scl-gpios = <&gpc 22 GPIO_ACTIVE_HIGH>; sda-gpios = <&gpc 23 GPIO_ACTIVE_HIGH>; i2c-gpio,delay-us = <2>; /* ~100 kHz */ 24c02@50 { compatible = "atmel,24c02"; reg = <0x50>; pagesize = <16>; }; };

内核配置的参考

AT24C256 EEPROM的内核配置参考

CONFIG_EEPROM_AT24=y

AT24C02 EEPROM的内核配置参考

CONFIG_EEPROM_AT24=y

验证测试的参考

AT24C256 EEPROM的验证测试参考

1. 烧录固件后，正常开机，命令行终端可以输入：dmesg，正常打印如下：

# dmesg | grep "at24" at24 0-0050: 32768 byte 24c256 EEPROM, writable, 16 bytes/write

2. 对其进行写操作，如下：

# i2ctransfer -f -y 0 w7@0x50 0x20 0x00 0x11 0x22 0x33 0x44 0x55

3. 对其进行读操作，如下：

# i2ctransfer -fay 0 w2@0x50 0x20 0x00 r5@0x50 0x11 0x22 0x33 0x44 0x55

AT24C02 EEPROM的验证测试参考

1. 烧录固件后，正常开机，命令行终端可以输入：dmesg，正常打印如下：

# dmesg | grep "at24" at24 0-0050: 256 byte 24c02 EEPROM, writable, 16 bytes/write

2. 对其进行写操作，如下：

# i2ctransfer -f -y 0 w2@0x50 0x00 0x11

3. 对其进行读操作，如下：

# i2ctransfer -fay 0 w1@0x50 0x00 r1@0x50 0x11

总结

EEPROM使用电场来擦除和写入存储器单元，因此可以反复写入数据。EEPROM通常用于存储小量数据，并且可以通过SPI或I2C接口进行读写。相对于EEPROM，Flash具有更高的存储密度和更快的写入速度。Flash内部被分为多个扇区，每个扇区都可以单独擦除和写入。Flash通常用于存储固件和大量数据，并且可以通过SPI、SDIO或NAND等接口进行读写。

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http://www.cnnetsun.cn/news/94970.html