基于ARMCortex-M4F内核的MSP432MCU开发实践【3.3】
8.1.3 使用Flash存储器进行的高级操作
在使用软件进行Flash存储器的编程或擦除操作中，需要了解在写/擦除操作时，编程和擦除MSP432单片机Flash存储器还需要进行验证阶段。若不能实现所需的验证阶段，并按照Flash存储器软件流程列出的确切程序执行，可能导致MSP432单片机Flash存储器编程或擦除不正确。
1.Flash存储器的高级读取
MSP432P401r单片机的Flash存储器可以设置不同的读取模式，支持以下读取模式。
1）正常读取：这是最常用的模式。用户必须确保仅在此模式下操作。
2）读取边缘0/1：边缘读取是主要的测试模式，用于检查Flash存储器。该模式在现场设备长时间运行后对于确定编程的边距非常有用。
3）程序验证：该读取模式有助于检查存储器是否有足够的余量编程。用户在程序操作期间看到验证错误后，就可使用此模式。
4）擦除验证：此读取模式有助于检查内存是否有足够的余量擦除。每次擦除操作前都应使用此模式。
可以设置FLCTL_BANKx_RDCTL寄存器中的RD_MODE位来使能所需的读取模式。
Flash存储器支持突发读取和比较功能，可以在Flash存储器的连续部分进行快速读取和比较操作，Flash存储器通过一次比较所有128位来减少操作时间。
突发读取和比较功能对于擦除存储器的验证是有用的，是在擦除验证读取操作模式下完成的。
可用以下MSP432单片机驱动程序库API进行高级读取。
FlashCtl_setReadMode：设置Flash读取操作使用的Flash读取模式。
2.Flash存储器的高级编程
编程MSP432单片机的Flash存储器需要将以下阶段并入用户程序：
·预编程验证
·启动程序
·后期程序验证
MSP432单片机Flash存储器要求应用程序根据所使用的编程模式实现如图8-1所示的精确例程。不遵循软件流程可能导致MSP432单片机的Flash存储器编程不正确。
如果应用程序知道要编程的Flash存储器位置已经处于被擦除状态，则预编程验证阶段可以不需要。但是，在每个程序操作之后都需要后期程序验证。
Flash存储器使用自动验证功能，在硬件中实现预编程验证和后期程序验证。Flash存储器编程阶段可以使用以下列出的任何一种高级程序模式来实现：
·立即写入模式
·全字编程模式
·突发程序模式
（1）自动验证功能
为了防止某一位被意外地过度编程或者检查某一位是否被充分编程，Flash存储器提供控制位，以在每个编程周期之前和之后实现自动程序验证和比较操作。这些分别称为自动预编程验证和后期程序验证。
启动预编程验证后，Flash存储器会以编程验证读取模式启动对要编程的地址的读取。然后，Flash存储器将接收到的数据与要编程的值进行比较。如果要编程的任何位在存储器中为0，则会发生错误。该错误由FLCTL_IFG寄存器中的AVPRE标志位标记。
后期编程验证操作在编程完成后启动对地址的读取。该读取操作也在程序验证读取模式下启动。然后，Flash存储器将接收的数据与要编程的值进行比较，如果编程的任何位在存储器中显示为1，则会发生错误。该错误由FLCTL_IFG寄存器中的AVPST标志位标记。
根据使用的编程模式，可以使用表8-1所示的寄存器来配置自动验证功能。也可以使用以下MSP432驱动程序库API配置此功能。
·FlashCtl_setProgramVerification：设置突发和常规Flash编程指令的预编程验证或后期验证。
·FlashCtl_clearProgramVerification：清除突发和常规Flash编程指令的预编程验证或后期验证。
（2）立即和全字模式的Flash编程
当配置为立即写入模式时，Flash存储器在接收到写命令后立即启动程序操作。
为了优化写入延迟和Flash程序操作期间的功耗，程序可以配置Flash存储器以缓冲来自CPU的多次写入，并且仅在组成完整的128位Flash存储器字之后启动程序操作。在全字编程模式下启用这种编程方式，对于大量字节写入非常有效，并且只有在至
少有16字节的数据准备好之后才启动写入。
以下步骤说明在程序中如何使用全字节编程模式：
1）需要以递增的地址方式写入数据，从128位LSB对齐的方式开始。
·可以写入4×32位，从最低有效32位字开始；
·可以写入8×16位，从最低有效16位字开始；
·可