NYFEA 徕飞新品预告｜7 款全场景硅电容

随着算力、光通信、工业控制、IoT 便携设备持续发展，传统 MLCC 寄生高、温漂大、小型化难等痛点逐渐显现。 NYFEA 徕飞深耕新型半导体元件，重磅规划7 款贴片硅电容产品线，封装包含四种： 0101、0202、0201M、0402，耐压范围从 4.5V至300V，容值 0.1nF至200nF，相对于传统陶瓷电容，硅电容基于半导体工业制造，在高频特性、可靠性和体积利用率上实现了质的飞跃。

高压微型系列（300V｜0101/0202）

行业极小封装配合高达300V 的耐压组合，突破相同尺寸陶瓷电容的耐压上限，专门为高压隔离或保护电路设计；与此同时，超低 ESL，高频高压电路无压电噪声。由于这些特性，这些型号适合高压电源模块中的缓冲与滤波以及射频功率放大器的偏置去耦。

薄型低压高速系列（11V/15V/16V｜0201M）

改良薄型 0201M 封装，体积紧凑、产品更薄；宽温容值稳定，温漂远优于 MLCC，适合用作高速数字信号耦合与滤波，抑制电源噪声效果拉满。

大容量通用系列（4.5V/9V｜0402）

0402标准贴片封装，最大 200nF 高容规格，适配低电压便携物联网设备、可穿戴设备、小型传感器电源滤波，是服务器高密度电源模块的理想选择。单颗就可以替代多颗 MLCC，从而简化 PCB 布线。

徕飞硅电容核心硬核优势

超低寄生参数：半导体 3D 深槽结构，ESL 极低且ESR也极低，在百GHz 高频区间内仍能保持优异的滤波与去耦性能；极致的性能稳定性：采用半导体级的二氧化硅介质，容值随温度、电压、时间的变化微乎其微，无 MLCC 直流偏压衰减缺陷；小型化与高压兼顾：最小 0101 超微型封装，同时实现 300V 高压耐受，填补了市场上微型高压电容的空白;低漏电流高可靠：介质绝缘性能优异，待机漏电极低，可靠性极高，寿命可达传统的MLCC的20倍，长期运行稳定。

NYFEA 徕飞持续布局硅电容、超级电容、传感器等新型元器件，依托深圳自研产线，为通信、工业、消费电子客户提供高稳定性国产替代方案徕飞科技。