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肖特基二极管阵列TVS/ESD静电保护芯片:NUP4302MR6T1G

简 介:本文测试了安森美TVS/ESD保护芯片NUP4302MR6的功能特性。该SOT-23-6封装芯片集成肖特基二极管阵列,用于高速接口(如USB、差分信号)的静电防护,具有超低寄生电容特点。通过搭建测试电路,对比了510Ω限流电阻与磁珠(实测参数:38Ω电阻+10μH电感)对信号的影响。实验表明:在1MHz方波信号下,磁珠方案仅产生10ns延迟,远优于电阻方案的50ns延迟和明显波形畸变,验证了磁珠在高速信号保护中的优势——既能有效限幅又最小化信号失真。

关键词TVSESD

TVS保护芯片:NUP4302

  • NUP4302MR6

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01【TVS/ESD保护芯片】

一、测量背景

这是一块实验电路板上的接口电路, 可以看到上面有两个丝印文字为67派的文字, 经过网络检索,可以看到它是一个肖特基二极管阵列,用于保护高速数字接口, 在下面还有一排瓷珠连接在输入端口上。 那究竟这些磁珠的特性是什么? 下面我们对它来进行测测试。 查看一下他们具体的参数。

二、芯片信息

完整型号

NUP4302MR6T1G(安森美 onsemi),封装:SOT-23-6,芯片表面丝印「67π」(π是厂家内部批号/版本标识)。

核心器件类型

集成肖特基二极管阵列的TVS/ESD静电保护芯片,属于电路防护类器件。

主要功能

  1. 高速数据线静电防护:保护USB、差分信号线、DVI、各类高速数字接口,泄放ESD静电、EFT电快速脉冲、小型浪涌电压,避免后端芯片被静电击穿损坏。
  2. 超低寄生电容:肖特基结构结电容很低,不会干扰高速信号完整性,适合高频、高速通信线路防护。
  3. 一颗芯片内部集成多路保护二极管,单颗即可同时防护4路差分/单端信号线,电路板上两颗该器件一般用于多路数据总线、差分对的全链路静电防护。

典型应用场景

USB数据线、以太网、摄像头信号、电机控制信号线、板间通信排线的静电浪涌保护。

三、测试电路

在豆包中给出了这个芯片的具体型号, 它的型号为NUp4302。 设计一个测试电路,简单的将输入信号经过限流电阻接入到该芯片的保护端口。 铺设单面PCB一分钟得到测试电路板, 下面对它进行焊接测试, 首先我们测试一下电路板上这颗黑色的器件, 使用手持Lcr镊子进行测量, 测量频率为1K赫兹。 这颗看起来像磁珠的芯片, 它的导通电阻为38欧姆, 等效串联电感为10微亨。


焊接电路板,对电路板使用高压水蒸气进行清洗之后,再进行测量。 使用DG1062产生峰峰值为10伏的正弦波信号频率为1千赫兹。 信号的中心偏移量为2.5伏, 这样,信号最高峰值为7.5伏, 最低峰值为-2.5伏。 将信号加入一路510欧姆限流电阻的保护通道。 电路施加正5伏的工作电压, 其实这个不是工作电压, 应该是保护电路的上限5伏, 测量输入信号以及限流之后的输出信号, 可以看到黄色信号为输入信号, 青色信号为限速后的信号, 它的最高值被限制在5.25伏左右, 它的最低点被限制在负0.25伏左右, 由此也验证了这颗瞬变电压保护芯片的基本功能。

将输入信号的频率提高到一兆赫兹, 此时可以看到输入输出信号之间有了延迟, 延迟时间大约为50纳秒, 这应该是输入限流电阻510欧姆, 与TVS保护芯片寄生电容造成的延迟。

将输入信号修改为方波信号, 可以明显看到由于输入电阻510欧姆所产生的 RC充电和放电效应, 对保护后的方波信号有了比较明显的上升沿和下降沿, 这里将510欧姆修改为刚才测量的磁珠, 可以看到输入信号和输入信号之间延迟就非常小了, 大约在10纳秒左右,因此, 对于这样的一个二极管保护阵列, 使用磁珠,效果比使用普通的电阻更好。


结 ※


文测试了TVS保护芯片NUP4302的基本功能 对比了使用普通的限流电阻以及磁珠, 在信号保护方面,该芯片对信号的影响, 使用磁珠,不仅能够对输入信号进行限幅, 同时对信号的延迟和波形影响最小。


■ 相关文献链接:

  • NUP4302MR6
http://www.cnnetsun.cn/news/3737803.html

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