8050和8550三极管参数
本文介绍了8050（NPN型）和8550（PNP型）三极管的封装类型（TO-92和SOT-23）、引脚排列以及主要参数。8050和8550常作为对管使用，详细列出了不同型号（如8050S、C8050、SS8050等）的电气特性参数，包括耗散功率（0.3W-2W）、集电极电流（0.5A-1.5A）、击穿电压（20V-40V）、特征频率（100MHz-190MHz）和放大倍数分级（B/C/D档对应不同β值范围）。文中还提及了不同厂商产品的参数差异和封装排列方式（EBC或ECB），为三极管的选型和应用提供了参考依据。
图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图 图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和管（引）脚排列图 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极
图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图
图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和管（引）脚排列图
8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：
耗散功率0.625W（贴片：0.3W）
集电极电流0.5A
集电极–基极电压40V
集电极–发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550 参数：
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极–基极电压40V
集电极–发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300
8050SS 8550SS 参数：
耗散功率： 1W（TA=25℃） 2W（TC=25℃）
集电极电流1.5A
集电极–基极电压40V
集电极–发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400
引脚排列有EBC ECB两种
SS8050 SS8550 参数：
耗散功率： 1W（TA=25℃） 2W（TC=25℃）
集电极电流1.5A
集电极–基极电压40V
集电极–发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300
引脚排列多为EBC
UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数：
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极–基极电压30V
集电极–发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档
C：120-200 D：160-300 E：280-400
NEC的8050
最大集电极电流（A）：0.5 A;
直流电增益：10 to 60;
功耗：625 mW;
最大集电极-发射极电压（VCEO）：25;
频率：150 MHz 。
其它的8050
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K