COOH-PS-PMMA羧基-聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯Carboxyl-PS-block-PMMA

一、基础信息

全称：Carboxyl-PS-block-PMMA中文：羧基 - 聚苯乙烯 - b - 聚甲基丙烯酸甲酯 简写：COOH−PS−b−PMMA 结构：单端羧基 + PS 嵌段 + PMMA 嵌段 整体为全疏水 AB 二嵌段共聚物，无亲水 PEG 链，专为微纳加工、界面锚固开发。

链段性能

1. PS（聚苯乙烯）：高玻璃化温度、耐等离子刻蚀；
2. PMMA：可紫外光降解，湿法选择性刻蚀；
3. 末端 - COOH：活性羧基，可通过 EDC/NHS 活化，共价键合氨基基材、氨基硅烷修饰的硅片。

二、理化性质

1. 溶解性良溶剂：THF、二氯甲烷、甲苯、氯苯； 不溶于水、甲醇，无法在水中自组装胶束。
2. 微相分离特性PS 与 PMMA 两相高度不相容，热退火（180~220 ℃）自发形成层状、柱状、球状有序畴。 PMMA 可 UV 曝光 + 乙酸溶液刻蚀去除，保留 PS 硬模板，是纳米图形化经典体系。
3. 界面锚固作用羧基活化后与基材表面氨基形成酰胺共价键，精准调控界面能，打破薄膜平躺结构，诱导嵌段形成垂直基底的相分离结构。

储存条件

-20℃干燥密封，避免羧基吸水缔合。

三、应用场景

1. 嵌段共聚物光刻（核心用途）

羧基将 PS-b-PMMA 牢牢锚固在氨基修饰硅基底上，调控两相界面张力，制备垂直取向纳米孔洞、纳米线阵列。刻蚀去除 PMMA 相后，得到 15~30 nm 周期的 PS 硬掩模，用于半导体微纳加工、纳米压印模板。

2. 多孔微球制备

共价接枝在氨基二氧化硅 / 磁珠表面，薄膜退火发生相分离，选择性刻蚀 PMMA，在颗粒表面构筑有序多孔层。

3. 高分子薄膜界面改性

羧基共价修饰基底，消除浸润差异，大面积制备无缺陷嵌段相分离薄膜。

4. 生物基材疏水涂层

与氨基改性微球偶联，构筑两相分离疏水界面。

P2VP-b-PS聚苯乙烯聚2-乙烯基吡啶

PMMA-P2VP

CHO-PEG-P2VP醛基-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

Aldehyde-PEG-P2VP

IA-PEG-P2VP碘乙酸盐-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

Mal-PEG-P2VP马来酰亚胺-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

MA-PEG-P2VP甲基丙烯酸酯-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

NHS-PEG-P2VPN-羟基琥珀酰亚胺酯-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

氨基-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶NH2-PEG-P2VP

羧基-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶COOH-PEG-P2VP

HO-PEG-P2VP羟基-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

OPSS-PEG-P2VP邻吡啶二硫/巯基吡啶-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

P2VP-PEG-ALK聚2-乙烯基吡啶-聚乙二醇-炔基

SH-PEG-P2VP巯基-聚乙二醇-聚2-乙烯基吡啶

peg-b-p4vp

p4vp-peg聚4-乙烯基吡啶聚乙二醇嵌段共聚物

PS25k-b-P2VP25k

PS7.8k-b-P2VP10k

PS13.8k-b-P2VP47k