推挽 开漏 高阻

单片机的GPIO配置为输出时，会有2种模式，一种是推挽模式，一种是开漏模式。接下来我来重新复习一下这两种模式。

单片机对于一个GPIO来说，不是要么输出高电平或者低电平吗？为啥会有这两种模式？

如图所示，那这三种状态和推挽以及开漏有什么关系呢？

如图，当Q1打开，Q2关闭时，输出高电平，相当于把电流推出去给MOS管。

如图，当Q1关闭，Q2打开时，输出低电平，相当于把电流挽回来。

推挽其实就是描述了电流的一个动作。

以上就是GPIO的推挽模式。

当Q1始终关闭时,Q2如图所示，漏极相当于啥也没接，处于开路状态，所以是开漏模式。

开漏模式作用：实现5v对3.3v单片机的控制。（一般需要配置上拉电阻）

第二种作用：用2个GPIO去控制enable。

上拉电阻作用：

那什么是漏电流？什么是驱动能力？

白白浪费了5mA，只考虑漏电流因素时，上拉电阻都是越大越好的。但是，上拉电阻太大的话，驱动能力就弱了。那什么是驱动能力呢？

实际上低电平到高电平的转换不是瞬间完成的，时间刻度放大看的话，有个爬升的过程，而这个爬升实际上是vcc通过电阻给电容充电的过程。当电阻太大时，爬升的越慢，可能会导致PWM或者IIC波形失真。

（准确的话用示波器看看，无脑的话用10k）